Fraunhofer-Institut für Keramische Technologien und Systeme IKTSNeben der Möglichkeit Sensoren und Aktoren (MEMS) in keramischer Mehrlagentechnologie zu fertigen, können basierend auf dieser Technologie keramische Umverdrahtungsträger und hermetisch dichte Gehäuse für Halbleiterbauelemente (Diskrete Halbleiter, ICs, Optoelektronische Bauelemente, Mikromechanische Elemente) hergestellt werden.
Minimale Differenzen der thermischen Ausdehnungskoeffizienten von LTCC und (siliziumbasierter) Halbleiter sind die Basis für eine hohe Robustheit solcher Lösungen. Neue Umverdrahtungstechnologien wie das Direktschreibverfahren bzw. neuartige keramikbasierte Gehäuselösungen für MEMS bringen einen zusätzlichen Gewinn an Zuverlässigkeit.
Zudem können komplette „Mikrosysteme“ LTCC-basiert aufgebaut werden.