SaxCrystalPower-FuE

Der zukünftige Trend für Leistungselektronik geht zweifellos zu neuen Halbleitermaterialen. Wegen ihrer unikalen Eigenschaftsspektren technisch besonders interessant sind dahingehend SiC-Halbleiter und auf SiC-Einkristall-Wafern aufbauende SiC-power devices. Diese Entwicklungsrichtung wird einen entscheidenden Beitrag zu mehr Energie- und Ressourceneffizienz leisten.

Das Ziel dieses Projektes ist der Aufbau einer experimentellen SiC-Kristallzucht-Anlage auf Basis eines industriell genutzten Anlagenkonzepts, Anpassungen für Forschungszwecke mit Schwerpunkt auf SiC-Rohstoffqualität und peripheren Hochtemperaturkomponenten im Zusammenhang mit Herstellungseffizienz und Qualitätssteigerung für die Einkristallprodukte.

Die vielversprechenden neuen Halbleiterwerkstoffe für die Leistungselektronik wie SiC-Einkristalle erfordern im Vergleich zum seit Jahrzehnten etablierten Siliciumeinkristall deutlich komplexere Prozessanforderungen, die mit höherer Genauigkeit bei herausfordernden Temperaturen > 2000 °C gesteuert werden müssen, um qualitätskritische Defekte zu minimieren.

Mit der Beschaffung eines neuen Transmissionselektronenmikroskops (TEM) wird die innovative Laborplattform für hochauflösende, multi-skalige Analytik von Materialien und Strukturen bis in den atomaren Bereich, wie den SiC-Materialien sowie SiC power devices, sichergestellt.

Bewilligungszeitraum: 01.09.2024 - 31.08.2027